Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL34B-E3/98

KEY Part #: K6457719

EGL34B-E3/98 Hinnoittelu (USD) [651126kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.05681
  • 5,000 pcs$0.04918

Osa numero:
EGL34B-E3/98
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Tiristorit - TRIACit, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Diodit - Zener - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34B-E3/98 electronic components. EGL34B-E3/98 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL34B-E3/98, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGL34B-E3/98 Tuoteominaisuudet

Osa numero : EGL34B-E3/98
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
Sarja : SUPERECTIFIER®
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 500mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 500mA
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-213AA (Glass)
Toimittajalaitteen paketti : DO-213AA (GL34)
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM