Powerex Inc. - C380N

KEY Part #: K6458740

C380N Hinnoittelu (USD) [1353kpl varastossa]

  • 1 pcs$32.01465
  • 30 pcs$31.29468

Osa numero:
C380N
Valmistaja:
Powerex Inc.
Yksityiskohtainen kuvaus:
THYRISTOR DSC 800V 250A TO200AB.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - Zener - Single, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - SCR-moduulit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Powerex Inc. C380N electronic components. C380N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C380N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C380N Tuoteominaisuudet

Osa numero : C380N
Valmistaja : Powerex Inc.
Kuvaus : THYRISTOR DSC 800V 250A TO200AB
Sarja : -
Osan tila : Active
Jännite - Pois tila : 800V
Jännite - Gate Trigger (Vgt) (max) : 3V
Nykyinen - Gate Trigger (Igt) (max) : 150mA
Jännite - tila (Vtm) (max) : 2.85V
Nykyinen - Päällä (Se (AV)) (Max) : 250A
Nykyinen - tila (se (RMS)) (maks.) : 400A
Nykyinen - pito (Ih) (maks.) : -
Nykyinen - Pois tila (maks.) : 20mA
Nykyinen - Ei rep. 50, 60 Hz (Itsm) : 3200A, 3500A
SCR-tyyppi : Standard Recovery
Käyttölämpötila : -40°C ~ 125°C
Asennustyyppi : Chassis Mount
Paketti / asia : TO-200AB, A-PUK
Toimittajalaitteen paketti : Press-Pak (Pow-R-Disc)
Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode