Diodes Incorporated - DMN1004UFDF-7

KEY Part #: K6396394

DMN1004UFDF-7 Hinnoittelu (USD) [425038kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.08702

Osa numero:
DMN1004UFDF-7
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - TRIACit, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - IGBT - Arrays and Transistorit - ohjelmoitava Unijunction ...
Kilpailuetu:
We specialize in Diodes Incorporated DMN1004UFDF-7 electronic components. DMN1004UFDF-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1004UFDF-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN1004UFDF-7 Tuoteominaisuudet

Osa numero : DMN1004UFDF-7
Valmistaja : Diodes Incorporated
Kuvaus : MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs (Max) : ±8V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2385pF @ 6V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 2.1W (Ta)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : U-DFN2020-6
Paketti / asia : 6-UDFN Exposed Pad