IXYS - IXFH24N90P

KEY Part #: K6394912

IXFH24N90P Hinnoittelu (USD) [9347kpl varastossa]

  • 1 pcs$4.87386
  • 60 pcs$4.84961

Osa numero:
IXFH24N90P
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH TO-247.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - JFET, Diodit - sillan tasasuuntaajat and Transistorit - FETit, MOSFETit - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXFH24N90P electronic components. IXFH24N90P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH24N90P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH24N90P Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXFH24N90P
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH TO-247
Sarja : HiPerFET™, PolarP2™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 900V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 7200pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 660W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-247AD (IXFH)
Paketti / asia : TO-247-3