Osa numero :
DMG4812SSS-13
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 10.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
18.5nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1849pF @ 15V
FET-ominaisuus :
Schottky Diode (Body)
Tehon hajautus (max) :
1.54W (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
8-SO
Paketti / asia :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)