ON Semiconductor - FQD5N60CTM-WS

KEY Part #: K6420472

FQD5N60CTM-WS Hinnoittelu (USD) [197168kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.18759

Osa numero:
FQD5N60CTM-WS
Valmistaja:
ON Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 2.8A.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Tiristorit - TRIACit ...
Kilpailuetu:
We specialize in ON Semiconductor FQD5N60CTM-WS electronic components. FQD5N60CTM-WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD5N60CTM-WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD5N60CTM-WS Tuoteominaisuudet

Osa numero : FQD5N60CTM-WS
Valmistaja : ON Semiconductor
Kuvaus : MOSFET N-CH 600V 2.8A
Sarja : QFET®
Osan tila : Not For New Designs
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 670pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : D-Pak
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Saatat myös olla kiinnostunut