ON Semiconductor - FQD10N20TM

KEY Part #: K6410699

[14046kpl varastossa]


    Osa numero:
    FQD10N20TM
    Valmistaja:
    ON Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - RF, Transistorit - JFET, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - IGBT - Arrays and Tiristorit - TRIACit ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in ON Semiconductor FQD10N20TM electronic components. FQD10N20TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD10N20TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD10N20TM Tuoteominaisuudet

    Osa numero : FQD10N20TM
    Valmistaja : ON Semiconductor
    Kuvaus : MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
    Sarja : QFET®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 200V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 7.6A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 3.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 670pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 2.5W (Ta), 51W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : D-Pak
    Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63