Osa numero :
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Valmistaja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus :
MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
20A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
37nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1850pF @ 10V
Tehon hajautus (max) :
41W (Tc)
Käyttölämpötila :
175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
DPAK+
Paketti / asia :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63