Diodes Incorporated - DMN10H220L-7

KEY Part #: K6421568

DMN10H220L-7 Hinnoittelu (USD) [541869kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.06826
  • 3,000 pcs$0.06109

Osa numero:
DMN10H220L-7
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - moduulit and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
Kilpailuetu:
We specialize in Diodes Incorporated DMN10H220L-7 electronic components. DMN10H220L-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN10H220L-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN10H220L-7 Tuoteominaisuudet

Osa numero : DMN10H220L-7
Valmistaja : Diodes Incorporated
Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 401pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 1.3W (Ta)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : SOT-23
Paketti / asia : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3