BAS19-G3-18 Hinnoittelu (USD) [2806764kpl varastossa]
- 1 pcs$0.01391
- 10,000 pcs$0.01384
- Osa numero:
- BAS19-G3-18
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 200mA 50ns 2.5A IFSM
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tehonohjaimen moduulit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - Zener - Single, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Transistorit - ohjelmoitava Unijunction ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAS19-G3-18 electronic components. BAS19-G3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS19-G3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS19-G3-18 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
BAS19-G3-18
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
200mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 200mA
Nopeus :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) :
50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
100nA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajalaitteen paketti :
SOT-23
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Kuumat osat
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54