Osa numero :
FDP047N08-F102
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
75V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
164A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.7 Ohm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
152nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
9415pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
268W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
TO-220-3
Paketti / asia :
TO-220-3