[2145kpl varastossa]
- Osa numero:
- STPSC1006G-TR
- Valmistaja:
- STMicroelectronics
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SILICON 600V 10A D2PAK.
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - RF, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - IGBT - Arrays, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in STMicroelectronics STPSC1006G-TR electronic components. STPSC1006G-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STPSC1006G-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STPSC1006G-TR Tuoteominaisuudet
Osa numero :
STPSC1006G-TR
Valmistaja :
STMicroelectronics
Kuvaus :
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Sarja :
-
Osan tila :
Obsolete
Diodin tyyppi :
Silicon Carbide Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
10A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 10A
Nopeus :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
0ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
150µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F :
650pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajalaitteen paketti :
D²PAK
Käyttölämpötila - liitos :
-40°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
-
BYG22A-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0 Amp 50 Volt
-
BYS10-45-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.5 Amp 45 Volt
-
RS1A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 50V 150ns
-
US1KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC. Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM
-
RS1GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns 36 Amp IFSM
Kuumat osat
- CR5F-120 BK
- IRD3CH11DF6
- FR306TA
- CMSH1-100 BK
- JANTX1N6624U
- JAN1N6622US
- VS-30BQ100GPBF
- DSB3A40
- HS247180R
- UF5A400D1
- RD0106T-H
- UGF15HT-E3/45
- UF1506S-B
- MBRH20045L
- 1N1203BR
- GP10AHE3/54
- MBR1040
- STPS1545R
- MBRD360
- MA2C700A0F
- STTH3L06B-TR
- BYW80-200
- MBRB1045TRL
- 1N6542
- SD233N36S50PSC
- 6TQ045S
- 1N6549
- ES1J-TP
- FS2B-TP
- R2500-TP
- FR203-TP
- 1N4935-TP
- FR503-AP
- RS 1AV
- ES3G R7G
- RB160M-50TR
- MURS360SHE3_A/H
- SE20PDHM3/85A
- GP10-4007-E3/54
- BAS4002LE6327XTMA1