Vishay Semiconductor Diodes Division - RS1GHE3_A/H

KEY Part #: K6445405

RS1GHE3_A/H Hinnoittelu (USD) [824703kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.04485
  • 7,200 pcs$0.04003

Osa numero:
RS1GHE3_A/H
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns 36 Amp IFSM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat and Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RS1GHE3_A/H electronic components. RS1GHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1GHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1GHE3_A/H Tuoteominaisuudet

Osa numero : RS1GHE3_A/H
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 400V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 150ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 400V
Kapasitanssi @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AC (SMA)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • VS-80EPS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.