BAL99-HE3-18 Hinnoittelu (USD) [3181000kpl varastossa]
- 1 pcs$0.01227
- 10,000 pcs$0.01221
- Osa numero:
- BAL99-HE3-18
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 450mA 6ns 250 mA IFSM
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - IGBT - Arrays, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAL99-HE3-18 electronic components. BAL99-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAL99-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAL99-HE3-18 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
BAL99-HE3-18
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
70V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
250mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 150mA
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
6ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
2.5µA @ 70V
Kapasitanssi @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajalaitteen paketti :
SOT-23
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Kuumat osat
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR