Vishay Semiconductor Diodes Division - LS4151GS08

KEY Part #: K6458671

LS4151GS08 Hinnoittelu (USD) [3993228kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.00926
  • 12,500 pcs$0.00872

Osa numero:
LS4151GS08
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 150mA 2.0 Amp IFSM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division LS4151GS08 electronic components. LS4151GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LS4151GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

LS4151GS08 Tuoteominaisuudet

Osa numero : LS4151GS08
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 50V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 300mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1V @ 50mA
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 50nA @ 50V
Kapasitanssi @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SOD-80 Variant
Toimittajalaitteen paketti : SOD-80 QuadroMELF
Käyttölämpötila - liitos : 175°C (Max)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode