S1GLR2G Hinnoittelu (USD) [2709980kpl varastossa]
- 1 pcs$0.01365
- Osa numero:
- S1GLR2G
- Valmistaja:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- 1A 400V GLASS PASSIVATED SMF R.
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - Zener - Arrays, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1GLR2G electronic components. S1GLR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1GLR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S1GLR2G Tuoteominaisuudet
Osa numero :
S1GLR2G
Valmistaja :
Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus :
1A 400V GLASS PASSIVATED SMF R
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
400V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
1.8µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 400V
Kapasitanssi @ Vr, F :
9pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-219AB
Toimittajalaitteen paketti :
Sub SMA
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Kuumat osat
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G