IXYS - IXTY01N100D

KEY Part #: K6406084

IXTY01N100D Hinnoittelu (USD) [37709kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.20311
  • 10 pcs$1.03020
  • 100 pcs$0.82784
  • 500 pcs$0.64387
  • 1,000 pcs$0.53350

Osa numero:
IXTY01N100D
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXTY01N100D electronic components. IXTY01N100D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY01N100D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY01N100D Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXTY01N100D
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 1000V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 100mA (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 25V
FET-ominaisuus : Depletion Mode
Tehon hajautus (max) : 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : TO-252, (D-Pak)
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63