IXYS - IXFH20N80Q

KEY Part #: K6413817

IXFH20N80Q Hinnoittelu (USD) [12968kpl varastossa]

  • 30 pcs$6.88197

Osa numero:
IXFH20N80Q
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - TRIACit, Diodit - Zener - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXFH20N80Q electronic components. IXFH20N80Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH20N80Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH20N80Q Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXFH20N80Q
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD
Sarja : HiPerFET™
Osan tila : Obsolete
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 800V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 5100pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 360W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-247AD (IXFH)
Paketti / asia : TO-247-3

Saatat myös olla kiinnostunut
  • IRF5805

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

  • IRF5800

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

  • IRF5804

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

  • IRF5803

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5806

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP.

  • ZVN4206AVSTOA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.