GeneSiC Semiconductor - GA50JT17-247

KEY Part #: K6412450

GA50JT17-247 Hinnoittelu (USD) [13441kpl varastossa]

  • 90 pcs$98.85087

Osa numero:
GA50JT17-247
Valmistaja:
GeneSiC Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
TRANS SJT 1.7KV 100A.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Transistorit - JFET ...
Kilpailuetu:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA50JT17-247 electronic components. GA50JT17-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA50JT17-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA50JT17-247 Tuoteominaisuudet

Osa numero : GA50JT17-247
Valmistaja : GeneSiC Semiconductor
Kuvaus : TRANS SJT 1.7KV 100A
Sarja : -
Osan tila : Obsolete
FET-tyyppi : -
tekniikka : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 1700V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 583W (Tc)
Käyttölämpötila : 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-247
Paketti / asia : TO-247-3
Saatat myös olla kiinnostunut
  • IRLR3705Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRFR2307Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

  • IRFR2607Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

  • IRFR1010Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • GP2M002A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

  • IRFR4104TRR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.