Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
INTEGRATED CIRCUIT
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
3A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
732pF @ 30V
Tehon hajautus (max) :
2.5W (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
8-SOIC
Paketti / asia :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)