Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
3.4A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 4.5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1850pF @ 9.6V
Tehon hajautus (max) :
790mW (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
8-SOIC
Paketti / asia :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)