Vishay Siliconix - SIS414DN-T1-GE3

KEY Part #: K6406359

SIS414DN-T1-GE3 Hinnoittelu (USD) [1347kpl varastossa]

  • 3,000 pcs$0.13247

Osa numero:
SIS414DN-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Zener - Single, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Tiristorit - SCR: t ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SIS414DN-T1-GE3 electronic components. SIS414DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS414DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS414DN-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SIS414DN-T1-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Obsolete
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 795pF @ 15V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® 1212-8
Paketti / asia : PowerPAK® 1212-8