Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG21K-M3/TR

KEY Part #: K6439840

BYG21K-M3/TR Hinnoittelu (USD) [726097kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.05184
  • 10,800 pcs$0.05158

Osa numero:
BYG21K-M3/TR
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A. Rectifiers 1.5A,800V,120nS Fast Avalanche,SMD
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Tehonohjaimen moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG21K-M3/TR electronic components. BYG21K-M3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG21K-M3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG21K-M3/TR Tuoteominaisuudet

Osa numero : BYG21K-M3/TR
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Avalanche
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 800V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1.5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 1.5A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 120ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 800V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AC (SMA)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAS19

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • MMBD4448

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast

  • BAV20W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • 1N4148W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns

  • SD103AW-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO

  • SD101AW-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM