BYG21K-M3/TR Hinnoittelu (USD) [726097kpl varastossa]
- 1 pcs$0.05184
- 10,800 pcs$0.05158
- Osa numero:
- BYG21K-M3/TR
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE AVALANCHE 800V 1.5A. Rectifiers 1.5A,800V,120nS Fast Avalanche,SMD
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Transistorit - JFET ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG21K-M3/TR electronic components. BYG21K-M3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG21K-M3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG21K-M3/TR Tuoteominaisuudet
Osa numero :
BYG21K-M3/TR
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Avalanche
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
800V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1.5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.6V @ 1.5A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
120ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
1µA @ 800V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti :
DO-214AC (SMA)
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
-
SD103AW-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO
-
SD101AW-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM
Kuumat osat
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G