BAS19 Hinnoittelu (USD) [2478044kpl varastossa]
- 1 pcs$0.01575
- 3,000 pcs$0.01567
- 6,000 pcs$0.01414
- 15,000 pcs$0.01229
- 30,000 pcs$0.01106
- 75,000 pcs$0.00983
- 150,000 pcs$0.00819
- Osa numero:
- BAS19
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - TRIACit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - DIAC, SIDAC and Diodit - Zener - Arrays ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in ON Semiconductor BAS19 electronic components. BAS19 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS19, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS19 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
BAS19
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
120V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
200mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 200mA
Nopeus :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) :
50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
100nA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajalaitteen paketti :
SOT-23-3 (TO-236)
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Kuumat osat
- SS22SHE3_A/I
- 1N4001-N-2-3-AP
- 1N6910UTK2AS
- IRD3CH101DD6
- MBRH20020RL
- JANTXV1N3595AUR-1
- 1N5805
- UFR3020PF
- S3740
- CD214B-F2100
- 1N3910
- CDBM230-HF
- MBRB1650-E3/45
- US1AHE3/5AT
- S1PDHE3/85A
- S1AHE3/5AT
- CDBP0130R-G
- MPG06BHE3/54
- EGP30GHE3/54
- GPP60AHE3/73
- R9G21412CSOO
- V12P10HE3/86A
- 1N4936RL
- B240A-13
- RS1KB-13
- SD253N04S15PV
- VS-80SQ035
- S1M-26R2G
- SF13M-TP
- JANTX1N5711-1/TR
- 1N647UR-1
- DNA30E2200PC-TUB
- STPSC606D
- BYWB29-200-E3/81
- ES3A-E3/57T
- STTH2L06UFY
- EGL34GHE3_A/I
- RSX201VA-30TR
- RF05VA1STR
- BAS40-00-G3-08