Osa numero :
SQM120N02-1M3L_GE3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET N-CH 20V 120A TO263
Sarja :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
290nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
14500pF @ 10V
Tehon hajautus (max) :
375W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
TO-263 (D²Pak)
Paketti / asia :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB