Vishay Siliconix - SIHFS9N60A-GE3

KEY Part #: K6393061

SIHFS9N60A-GE3 Hinnoittelu (USD) [84853kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.46081

Osa numero:
SIHFS9N60A-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Single, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Tiristorit - SCR: t and Transistorit - JFET ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SIHFS9N60A-GE3 electronic components. SIHFS9N60A-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHFS9N60A-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHFS9N60A-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SIHFS9N60A-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 9.2A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 170W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : TO-263 (D²Pak)
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Saatat myös olla kiinnostunut