VS-HFA08PB60-N3 Hinnoittelu (USD) [31296kpl varastossa]
- 1 pcs$1.93908
- 10 pcs$1.74121
- 25 pcs$1.64610
- 100 pcs$1.42659
- 250 pcs$1.35342
- 500 pcs$1.21443
- 1,000 pcs$0.97169
- Osa numero:
- VS-HFA08PB60-N3
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO247AC. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - erityistarkoitus, Tiristorit - TRIACit, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - RF and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA08PB60-N3 electronic components. VS-HFA08PB60-N3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA08PB60-N3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-HFA08PB60-N3 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
VS-HFA08PB60-N3
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO247AC
Sarja :
HEXFRED®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
8A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 8A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
55ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
TO-247-2
Toimittajalaitteen paketti :
TO-247AC Modified
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
MMBD4448WT-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V
-
VS-HFA04SD60SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt
-
VS-HFA08SD60SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-HFA08SD60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWF04STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
Kuumat osat
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR