VS-8EWS16STR-M3 Hinnoittelu (USD) [57941kpl varastossa]
- 1 pcs$0.67483
- 2,000 pcs$0.58685
- Osa numero:
- VS-8EWS16STR-M3
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF and Transistorit - IGBT - Arrays ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWS16STR-M3 electronic components. VS-8EWS16STR-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8EWS16STR-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-8EWS16STR-M3 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
VS-8EWS16STR-M3
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
1600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
8A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 8A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
50µA @ 1600V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajalaitteen paketti :
D-PAK (TO-252AA)
Käyttölämpötila - liitos :
-40°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
MMBD4448-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V
-
MMBD4448WT-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V
-
VS-HFA04SD60SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt
-
VS-HFA08SD60SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-HFA08SD60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3
Kuumat osat
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G