Taiwan Semiconductor Corporation - S1G-KR2G

KEY Part #: K6458567

S1G-KR2G Hinnoittelu (USD) [2511991kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.01472

Osa numero:
S1G-KR2G
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
1A 400V STANDARD RECOVERY RECT.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
Kilpailuetu:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1G-KR2G electronic components. S1G-KR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1G-KR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1G-KR2G Tuoteominaisuudet

Osa numero : S1G-KR2G
Valmistaja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus : 1A 400V STANDARD RECOVERY RECT
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 400V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 1.5µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 400V
Kapasitanssi @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AC (SMA)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • 1SS294,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA

  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAS16WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR