Osa numero :
DMN1150UFB-7B
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
1.41A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
1.5nC @ 4.5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
106pF @ 10V
Tehon hajautus (max) :
500mW (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
3-DFN1006 (1.0x0.6)