Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. DRAM
  4. LPDDR4
  5. K4FBE3D4HM-GFCL

Samsung Semiconductor - K4FBE3D4HM-GFCL

KEY Part #: K7359774

[14789kpl varastossa]

    Osa numero:
    K4FBE3D4HM-GFCL
    Valmistaja:
    Samsung Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    32 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: LPDDR5, GDDR5, DDR3, LPDDR3, SLC Nand, HBM Aquabolt, HBM Flarebolt and LPDDR4 ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4FBE3D4HM-GFCL electronic components. K4FBE3D4HM-GFCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4FBE3D4HM-GFCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4FBE3D4HM-GFCL Tuoteominaisuudet

    Osa numero : K4FBE3D4HM-GFCL
    Valmistaja : Samsung Semiconductor
    Kuvaus : 32 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
    Sarja : DDR3
    Tiheys : 32 Gb
    Org. : x32
    Nopeus : 4266 Mbps
    Jännite : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Paketti : 200FBGA
    tuotteen tila : Mass Production

    Uusimmat uutiset

    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    How Will 5G Impact on Memory?
    Speed for the next generation of mobile devices
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    Kuumat osat