Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. DRAM
  4. LPDDR4
  5. K4FHE3D4HA-GFCL

Samsung Semiconductor - K4FHE3D4HA-GFCL

KEY Part #: K7359777

[19184kpl varastossa]

    Osa numero:
    K4FHE3D4HA-GFCL
    Valmistaja:
    Samsung Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    24 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: SLC Nand, LPDDR5, DDR4, LPDDR3, DDR3, GDDR6, LPDDR4X and MODULE ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4FHE3D4HA-GFCL electronic components. K4FHE3D4HA-GFCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4FHE3D4HA-GFCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4FHE3D4HA-GFCL Tuoteominaisuudet

    Osa numero : K4FHE3D4HA-GFCL
    Valmistaja : Samsung Semiconductor
    Kuvaus : 24 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
    Sarja : DDR3
    Tiheys : 24 Gb
    Org. : x32
    Nopeus : 4266 Mbps
    Jännite : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Paketti : 200FBGA
    tuotteen tila : Mass Production

    Uusimmat uutiset

    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    Kuumat osat