Vishay Siliconix - SIHF35N60E-GE3

KEY Part #: K6399509

SIHF35N60E-GE3 Hinnoittelu (USD) [14454kpl varastossa]

  • 1 pcs$2.85133
  • 10 pcs$2.54504
  • 100 pcs$2.08693
  • 500 pcs$1.68991
  • 1,000 pcs$1.42522

Osa numero:
SIHF35N60E-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - erityistarkoitus, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - IGBT - moduulit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SIHF35N60E-GE3 electronic components. SIHF35N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHF35N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHF35N60E-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SIHF35N60E-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Sarja : E
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 94 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 132nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2760pF @ 100V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 39W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220 Full Pack
Paketti / asia : TO-220-3 Full Pack

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • TN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3.

  • VN0300L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3.