Infineon Technologies - IPB039N10N3GATMA1

KEY Part #: K6418481

IPB039N10N3GATMA1 Hinnoittelu (USD) [65148kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.60018

Osa numero:
IPB039N10N3GATMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Zener - Arrays and Transistorit - JFET ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPB039N10N3GATMA1 electronic components. IPB039N10N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB039N10N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB039N10N3GATMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPB039N10N3GATMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Sarja : OptiMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 160A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 160µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 117nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 8410pF @ 50V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 214W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PG-TO263-7
Paketti / asia : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Saatat myös olla kiinnostunut
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.