Osa numero :
SIR122DP-T1-RE3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8
Sarja :
TrenchFET® Gen IV
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
80V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
44nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1950pF @ 40V
Tehon hajautus (max) :
5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PowerPAK® SO-8
Paketti / asia :
PowerPAK® SO-8