ON Semiconductor - FQPF1N50

KEY Part #: K6413636

[8402kpl varastossa]


    Osa numero:
    FQPF1N50
    Valmistaja:
    ON Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 500V 0.9A TO-220F.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - Zener - Arrays, Diodit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Transistorit - IGBT - Arrays ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in ON Semiconductor FQPF1N50 electronic components. FQPF1N50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF1N50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQPF1N50 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : FQPF1N50
    Valmistaja : ON Semiconductor
    Kuvaus : MOSFET N-CH 500V 0.9A TO-220F
    Sarja : QFET®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 500V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 900mA (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 Ohm @ 450mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.5nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 16W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Through Hole
    Toimittajalaitteen paketti : TO-220F
    Paketti / asia : TO-220-3 Full Pack

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • IRF5804TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5805TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • ZVNL110ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • ZVN4306ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4306ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.