Osa numero :
BSZ130N03LSGATMA1
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta), 35A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
970pF @ 15V
Tehon hajautus (max) :
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PG-TSDSON-8
Paketti / asia :
8-PowerTDFN