Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
250V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
2.2A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8.2nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
TO-251AA
Paketti / asia :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA