Osa numero :
NTD6600N-001
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
146 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
I-PAK
Paketti / asia :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA