Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
560mA (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 340mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
340pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
1W (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paketti / asia :
4-DIP (0.300", 7.62mm)