Taiwan Semiconductor Corporation - 2A02GHA0G

KEY Part #: K6434222

2A02GHA0G Hinnoittelu (USD) [2200504kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.01681

Osa numero:
2A02GHA0G
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - IGBT - Yksittäiset and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
Kilpailuetu:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation 2A02GHA0G electronic components. 2A02GHA0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2A02GHA0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2A02GHA0G Tuoteominaisuudet

Osa numero : 2A02GHA0G
Valmistaja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 2A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 2A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : DO-204AC, DO-15, Axial
Toimittajalaitteen paketti : DO-204AC (DO-15)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • MMBD4448WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V

  • VS-HFA04SD60SHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt

  • VS-HFA08SD60SL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWS16STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-HFA08SD60SR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWF04STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3