Vishay Semiconductor Diodes Division - SD101AW-HE3-18

KEY Part #: K6439946

SD101AW-HE3-18 Hinnoittelu (USD) [1622227kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.02280
  • 10,000 pcs$0.02093

Osa numero:
SD101AW-HE3-18
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays and Transistorit - IGBT - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SD101AW-HE3-18 electronic components. SD101AW-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SD101AW-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SD101AW-HE3-18 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SD101AW-HE3-18
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 60V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 30mA (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1V @ 15mA
Nopeus : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) : 1ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 200nA @ 50V
Kapasitanssi @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SOD-123
Toimittajalaitteen paketti : SOD-123
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 125°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAS19

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • MMBD4448

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast

  • MMBD1501A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS29

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • BAV20W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • 1N4148W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns