Vishay Semiconductor Diodes Division - BAT43WS-HE3-18

KEY Part #: K6440032

BAT43WS-HE3-18 Hinnoittelu (USD) [1520920kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.02432
  • 10,000 pcs$0.02233

Osa numero:
BAT43WS-HE3-18
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM AUTO
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - Zener - Arrays, Diodit - Zener - Single, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - JFET and Diodit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAT43WS-HE3-18 electronic components. BAT43WS-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT43WS-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAT43WS-HE3-18 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BAT43WS-HE3-18
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 30V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 200mA (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 450mV @ 15mA
Nopeus : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) : 5ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 500nA @ 25V
Kapasitanssi @ Vr, F : 7pF @ 1V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SC-76, SOD-323
Toimittajalaitteen paketti : SOD-323
Käyttölämpötila - liitos : 125°C (Max)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • MMBD1501A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS29

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • BAV21W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 200mA 50ns 1A IFSM

  • 1N4448W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns

  • SD101CW-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 30MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 40Volt 2A IFSM

  • BAS16D-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 0.25 Amp 2.0A IFSM @ 1uS