BAV21W-G3-08 Hinnoittelu (USD) [1628441kpl varastossa]
- 1 pcs$0.02271
- 3,000 pcs$0.02168
- 6,000 pcs$0.01885
- 15,000 pcs$0.01603
- 30,000 pcs$0.01508
- 75,000 pcs$0.01414
- 150,000 pcs$0.01257
- Osa numero:
- BAV21W-G3-08
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 200mA 50ns 1A IFSM
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - SCR-moduulit, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - JFET, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Zener - Arrays, Diodit - Zener - Single and Transistorit - ohjelmoitava Unijunction ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV21W-G3-08 electronic components. BAV21W-G3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV21W-G3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV21W-G3-08 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
BAV21W-G3-08
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
250mA (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
100nA @ 150V
Kapasitanssi @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
SOD-123
Toimittajalaitteen paketti :
SOD-123
Käyttölämpötila - liitos :
175°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Kuumat osat
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A