Kuvaus :
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
900V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
250mA (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
133pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
40W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
TO-252
Paketti / asia :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63