Infineon Technologies - AUIRFB8409

KEY Part #: K6398330

AUIRFB8409 Hinnoittelu (USD) [16493kpl varastossa]

  • 1 pcs$2.29605
  • 10 pcs$2.04837
  • 100 pcs$1.67951
  • 500 pcs$1.35997
  • 1,000 pcs$1.08815

Osa numero:
AUIRFB8409
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - JFET, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Transistorit - erityistarkoitus ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies AUIRFB8409 electronic components. AUIRFB8409 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFB8409, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFB8409 Tuoteominaisuudet

Osa numero : AUIRFB8409
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Sarja : HEXFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 195A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 450nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 14240pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 375W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220AB
Paketti / asia : TO-220-3