Vishay Siliconix - SQ4401EY-T1_GE3

KEY Part #: K6418394

SQ4401EY-T1_GE3 Hinnoittelu (USD) [61744kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.63327
  • 2,500 pcs$0.53396

Osa numero:
SQ4401EY-T1_GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET P-CH 40V 17.3A.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - JFET, Transistorit - erityistarkoitus, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SQ4401EY-T1_GE3 electronic components. SQ4401EY-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ4401EY-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ4401EY-T1_GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SQ4401EY-T1_GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET P-CH 40V 17.3A
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : P-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 17.3A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 115nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 4250pF @ 20V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 7.14W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : 8-SO
Paketti / asia : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.