BAT43W-G3-08 Hinnoittelu (USD) [1415704kpl varastossa]
- 1 pcs$0.02613
- 15,000 pcs$0.02399
- Osa numero:
- BAT43W-G3-08
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - JFET, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAT43W-G3-08 electronic components. BAT43W-G3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT43W-G3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAT43W-G3-08 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
BAT43W-G3-08
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
30V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
200mA (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
450mV @ 15mA
Nopeus :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) :
5ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
500nA @ 25V
Kapasitanssi @ Vr, F :
7pF @ 1V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
SOD-123
Toimittajalaitteen paketti :
SOD-123
Käyttölämpötila - liitos :
125°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
1N4151W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 500mA 2ns
-
BAV19W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 200mA 50ns 1A IFSM
Kuumat osat
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18