Vishay Siliconix - IRFPC50PBF

KEY Part #: K6394008

IRFPC50PBF Hinnoittelu (USD) [13208kpl varastossa]

  • 1 pcs$3.12016
  • 10 pcs$2.78743
  • 100 pcs$2.28569
  • 500 pcs$1.85085
  • 1,000 pcs$1.56096

Osa numero:
IRFPC50PBF
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - RF, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - Zener - Arrays and Transistorit - erityistarkoitus ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix IRFPC50PBF electronic components. IRFPC50PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFPC50PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFPC50PBF Tuoteominaisuudet

Osa numero : IRFPC50PBF
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 180W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-247-3
Paketti / asia : TO-247-3