Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays
  5. EPC2105ENG

EPC - EPC2105ENG

KEY Part #: K6523724

[4069kpl varastossa]

    Osa numero:
    EPC2105ENG
    Valmistaja:
    EPC
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Diodit - RF ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in EPC EPC2105ENG electronic components. EPC2105ENG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2105ENG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EPC2105ENG Tuoteominaisuudet

    Osa numero : EPC2105ENG
    Valmistaja : EPC
    Kuvaus : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
    Sarja : eGaN®
    Osan tila : Discontinued at Digi-Key
    FET-tyyppi : 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET-ominaisuus : GaNFET (Gallium Nitride)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 80V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 9.5A, 38A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2.5mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 40V
    Teho - Max : -
    Käyttölämpötila : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Paketti / asia : Die
    Toimittajalaitteen paketti : Die
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • STC6NF30V

      STMicroelectronics

      MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP.

    • AO8822#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8814#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP.

    • AO8810#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8804_100

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V.

    Kuumat osat